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Sono disponibili i nuovi Samsung 970 EVO Plus differenziano con gli EVO dalla memoria V-NAND di quinta generazione, questa memoria ha 96 layer e funziona a velocità maggiori rispetto alla precedente a 64 layer, oltre a richiedere una tensione di 1,2 volt. La nuova NAND supporta anche l’interfaccia Toggle 4.0, che opera a 1,4 GT/s e ha un die con una densità di 256 Gb (250 GB, 500 GB e 1 TB) o 512 Gb (2 TB).

La nuova memoria, in combinata alle ottimizzazioni del firmware, migliora le prestazioni in scrittura casuale in modo rilevante secondo Samsung, dando allo stesso tempo un leggero spunto in più nelle prestazioni in lettura casuale. Le prestazioni in scrittura sequenziale, inoltre, salgono di 800 MB/s.

I Samsung 970 EVO Plus possono quindi raggiungere fino a 3,5 GB/s in lettura sequenziale e fino a 3,3 GB/s in scrittura sequenziale. I valori casuali raggiungono rispettivamente 620.000 e 560.000 IOPS. Le prestazioni dell’SSD in scrittura variano in base a quanti dati fluiscono nella cache TurboWrite, che è una piccola sezione di memoria programmata per funzionare come una NAND SLC, e serve per aumentare le prestazioni.

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